Produit
Trina Vertex S TSM-DEG9R.20 415-435W
Spécification
**Potentiel de réduction des coûts BOS** : Cette série de composants présente un fort potentiel pour réduire les coûts des composants externes du système (BOS) et générer des avantages économiques plus importants pour les investisseurs.
**Performances de référence de l'industrie des semi-conducteurs** : Cette série de composants utilise des plaquettes de silicium de taille de référence de l'industrie des semi-conducteurs, garantissant un niveau de performance et de rentabilité optimal.
**Puissance de sortie optimisée** : L’application de la technologie d’encapsulation haute densité optimise la puissance de sortie, améliorant ainsi les performances des modules solaires.
**Rendement de production d'énergie élevé et constant** : Le faible taux d'atténuation de ce composant garantit un rendement de production d'énergie élevé et constant, et crée davantage d'énergie propre pour les utilisateurs.
Liste des paramètres
| Numéro de produit | 415 | 420 | 425 | 430 | 435 |
| assurance qualité | Garantie de 15 ans sur la qualité de fabrication du produit | ||||
| assurance qualité des produits | Garantie de puissance de 30 ans | ||||
| Puissance de sortie garantie | Dégradation de 1 % la première année, atténuation annuelle de puissance de 0,4 % | ||||
| paramètres de performance électrique (STC) | |||||
| Puissance de crête (Pmax) | 415 Wp | 420 Wp | 425 Wp | 430 Wp | 435 Wp |
| Tension de fonctionnement maximale (Vmpp) | 41 V | 41,3 V | 41,5 V | 41,8 V | 42 V |
| Courant de fonctionnement de crête (Impp) | 10.11 A | 10,17 A | 10,24 A | 10,3 A | 10,36 A |
| Tension en circuit ouvert (Voc) | 49,4 V | 49,7 V | 49,9 V | 50,3 V | 50,6 V |
| Courant de court-circuit (Isc) | 10,64 A | 10,69 A | 10,74 A | 10,81 A | 10,86 A |
| efficacité des composants | 20,80% | 21% | 21,30% | 21,50% | 21,80% |
| Écart de puissance (positif) | 1% | 1% | 1% | 1% | 1% |
| Paramètres de performance électrique (NOCT) | |||||
| Puissance de crête (Pmax) | 313 Wp | 317 Wp | 320 Wp | 325 Wp | 328 Wp |
| Tension de fonctionnement maximale (Vmpp) | 38,5 V | 38,7 V | 39 V | 39,3 V | 39,5 V |
| Courant de fonctionnement de crête (Impp) | 8.13 A | 8.17 A | 8.21 A | 8,27 A | 8.3 A |
| Tension en circuit ouvert (Voc) | 46,5 V | 46,8 V | 46,9 V | 47,3 V | 47,6 V |
| Courant de court-circuit (Isc) | 8,58 A | 8,61 A | 8,65 A | 8,71 A | 8,75 A |
| température maximale durable | 43 ± 2 °C | ||||
| caractéristiques de température | |||||
| Température de fonctionnement | -40 à 85 °C | ||||
| Coefficient de température (Pmax) | -0,34 %/°C | ||||
| Coefficient de température (Voc) | -0,25 %/°C | ||||
| Coefficient de température (Isc) | 0,04 %/°C | ||||
| Paramètres d'intégration du système | |||||
| tension du système | 1500 V | ||||
| courant nominal du fusible | 20 A | ||||
| paramètres physiques | |||||
| Dimensions du composant (hauteur/largeur/épaisseur) | 1762x1134x30 mm | ||||
| poids | 21,8 kg | ||||
| Type de cellule | silicium monocristallin | ||||
| Quantité de cellules | 144 | ||||
| type de verre | Revêtement antireflet, trempé | ||||
| Type de matériau d'étanchéité | EVA | ||||
| type de bordure | Alliage d'aluminium anodisé | ||||
| classe de protection des boîtes de jonction | IP 68 | ||||
| type de connecteur | MC4 | ||||
| section transversale du câble | 4 mm² | ||||
