**Potentiel de réduction des coûts du BOS** : cette série de composants a un grand potentiel pour réduire les coûts du BOS (composants externes du système) et créer des avantages économiques plus élevés pour les investisseurs.
**Performances de référence de l'industrie des semi-conducteurs** : cette série de composants utilise des tailles de tranches de silicium de référence dans l'industrie des semi-conducteurs, garantissant le plus haut niveau de performances et de rentabilité.
**Puissance de sortie optimisée** : L'application de la technologie d'emballage haute densité optimise la puissance de sortie, améliorant ainsi les performances des modules solaires.
**Efficacité de production d'énergie élevée et soutenue** : Le faible taux d'atténuation de ce composant garantit une efficacité de production d'énergie élevée et continue et crée plus d'énergie propre pour les utilisateurs.
Numéro de produit | 415 | 420 | 425 | 430 | 435 |
assurance qualité | Garantie de 15 ans sur la qualité du produit | ||||
assurance qualité des produits | Garantie d'alimentation de 30 ans | ||||
Puissance de sortie garantie | 1 % de dégradation la première année, 0,4 % d'atténuation de puissance annuelle | ||||
Paramètres de performances électriques (STC) | |||||
Puissance de crête (Pmax) | 415 Wc | 420 Wp | 425 Wc | 430 Wc | 435 Wp |
Tension de fonctionnement maximale (Vmpp) | 41 V | 41,3 V | 41,5 V | 41,8 V | 42 V |
Courant de fonctionnement de pointe (Impp) | 10.11 A | 10h17 Un | 10,24 A | 10,3 A | 10,36 A |
Tension en circuit ouvert (Voc) | 49,4 V | 49,7 V | 49,9 V | 50,3 V | 50,6 V |
Courant de court-circuit (Isc) | 10,64 A | 10,69 A | 10,74 UN | 10,81 UN | 10,86 UN |
Efficacité des composants | 20,80% | 21% | 21,30% | 21,50% | 21,80% |
Déviation de puissance (positive) | 1% | 1% | 1% | 1% | 1% |
Paramètres de performances électriques (NOCT) | |||||
Puissance de crête (Pmax) | 313 Wp | 317 Wp | 320 Wc | 325 Wc | 328 Wc |
Tension de fonctionnement maximale (Vmpp) | 38,5 V | 38,7 V | 39 V | 39,3 V | 39,5 V |
Courant de fonctionnement de pointe (Impp) | 8.13A | 8.17A | 8.21A | 8,27 A | 8,3 A |
Tension en circuit ouvert (Voc) | 46,5 V | 46,8 V | 46,9 V | 47,3 V | 47,6 V |
Courant de court-circuit (Isc) | 8,58 A | 8,61 UN | 8,65 A | 8,71 UN | 8,75 A |
température maximale durable | 43 ± 2 °C | ||||
caractéristiques de température | |||||
Température de fonctionnement | -40~85 °C | ||||
Coefficient de température (Pmax) | -0,34 %/°C | ||||
Coefficient de température (COV) | -0,25 %/°C | ||||
Coefficient de température (Isc) | 0,04 %/°C | ||||
Paramètres d'intégration du système | |||||
tension du système | 1500 V | ||||
Courant nominal du fusible | 20 A | ||||
paramètres physiques | |||||
Taille du composant (hauteur/largeur/épaisseur) | 1762x1134x30mm | ||||
poids | 21,8 kg | ||||
Type de cellule | Silicium monocristallin | ||||
Quantité de cellules | 144 | ||||
type de verre | Revêtement antireflet, trempé | ||||
Type de matériau d'étanchéité | EVA | ||||
type de bordure | Alliage d'aluminium anodisé | ||||
Classe de protection de la boîte de jonction | IP68 | ||||
type de connecteur | MC4 | ||||
Section du câble | 4 mm² |