Les modules PANDA 3.0 utilisent la technologie de pointe des cellules monocristallines de type n TOPCon. Grâce à des matériaux d'encapsulation de haute qualité et à une structure classique à face arrière en verre, les modules PANDA 3.0 sont parfaitement adaptés aux environnements difficiles et vous offrent une fiabilité et une qualité optimales.
2. Le ruban de soudure invisible à grand angle crée des composants performants et esthétiques.
Les rubans circulaires/triangulaires à barres omnibus multiples augmentent le taux d'utilisation optique de la surface du ruban de 5 % à plus de 40 % ; la « technologie furtive de ruban grand angle » basée sur la réflexion totale peut réduire la pollution lumineuse dans une certaine plage angulaire.
3. Haute fiabilité
Ce module offre d'excellentes performances en faible luminosité et maintient une production d'énergie stable même dans des conditions d'éclairage relativement faibles. Ceci est dû à l'application d'une technologie complète de suppression de l'atténuation LID (dégradation induite par la lumière)/LeTID (dégradation induite par le potentiel), qui réduit efficacement les pertes d'énergie des composants en faible luminosité et augmente ainsi la production d'énergie.
4. Couvercle ultra-bas
Atténuation la première année : 1 %, atténuation annuelle : 0,4 %. Garantit des revenus de production d’énergie stables et à long terme pour les clients finaux. Réduction de la dégradation grâce à des cellules et des matériaux d’encapsulation anti-PID.
| Numéro de produit | 550 | 555 | 560 | 565 | 570 | 575 |
| assurance qualité | ||||||
| assurance qualité des produits | 12 ans | |||||
| Puissance de sortie garantie | Se dégrade de 0,55 % par an pendant 25 ans | |||||
| paramètres de performance électrique (STC) | ||||||
| Puissance de crête (Pmax) | 550 Wp | 555 Wp | 560 Wc | 565 Wp | 570 Wp | 575 Wp |
| Tension de fonctionnement maximale (Vmpp) | 41,57 V | 41,76 V | 41,94 V | 42,13 V | 42,29 V | 42,47 V |
| Courant de fonctionnement de crête (Impp) | 13,24 A | 13h30 A | 13,36 A | 13,42 A | 13,48 A | 13,54 A |
| Tension en circuit ouvert (Voc) | 50,26 V | 50,46 V | 50,66 V | 50,86 V | 51,06 V | 51,26 V |
| Courant de court-circuit (Isc) | 13,89 A | 14,07 A | 14.14 A | 14.20 A | 14,26 A | 14,32 A |
| efficacité des composants | 21,29% | 21,48% | 21,68% | 21,87% | 22,07% | 22,26% |
| Écart de puissance (positif) | 1,50% | 1,50% | 1,50% | 1,50% | 1,50% | 1,50% |
| Paramètres de performance électrique (NOCT) | ||||||
| Puissance de crête (Pmax) | 417,85 Wp | 421,67 Wp | 425,39 Wp | 429,24 Wp | 432,80 Wp | 436,57 Wp |
| Tension de fonctionnement maximale (Vmpp) | 39,58 V | 39,77 V | 39,94 V | 40,12 V | 40,27 V | 40,44 V |
| Courant de fonctionnement de crête (Impp) | 10,56 A | 10,60 A | 10,65 A | 10,70 A | 10,75 A | 10,80 A |
| Tension en circuit ouvert (Voc) | 47,64 V | 47,83 V | 48,02 V | 48,21 V | 48,40 V | 48,59 V |
| Courant de court-circuit (Isc) | 11,28 A | 11,34 A | 11h40 A | 11h45 A | 11,50 A | 11,55 A |
| température maximale durable | 42 ± 2 °C | |||||
| caractéristiques de température | ||||||
| Température de fonctionnement | -40 à 85 °C | |||||
| Coefficient de température (Pmax) | #NOM? | |||||
| Coefficient de température (Voc) | #NOM? | |||||
| Coefficient de température (Isc) | 0,046 %/°C | |||||
| Paramètres d'intégration du système | ||||||
| tension du système | 1000 V CC / 1500 V CC | |||||
| courant nominal du fusible | 30 A | |||||
| paramètres physiques | ||||||
| Dimensions du composant (hauteur/largeur/épaisseur) | 2278 x 1134 x 30 mm | |||||
| poids | 32,0 kg | |||||
| Type de cellule | silicium monocristallin | |||||
| Spécifications cellulaires | 144×144 mm | |||||
| Quantité de cellules | 144 | |||||
| type de verre | Trempe | |||||
| épaisseur du verre | 3,2 mm | |||||
| type de bordure | Alliage d'aluminium anodisé | |||||
| classe de protection des boîtes de jonction | IP 68 | |||||
| type de connecteur | MC4 | |||||
| section transversale du câble | 4 mm² | |||||
| longueur du câble | 1200 mm | |||||